Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН

О компании:

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ) был создан в 2002 году. Его основная цель – проведение прикладных и фундаментальных научных исследований, а также прикладных разработок в сфере сверхвысокочастотной и крайне высокочастотной полупроводниковой электроники. Главные направления научной работы ИСВЧПЭ: - физика и технология квантово-размерных гетероструктур; - электронные процессы в сверхвысокочастотных приборах и разработка нового класса высокочастотных приборов; - нано- и микротехнология формирования коротко-канальных гетероструктурных СВЧ-приборов; - разработка монолитных СВЧ ИС для оптоволоконных линий, высокочувствительных радиометров, бортовых радаров и т. д.; - производство терагерцовых устройств в частотном диапазоне от 300 до 900 Ггц. В рамках федеральной программы «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» учреждение разработало МИС для НПП «Исток», подобные работы проводились и в интересах НПП «Пульсар». ИСВЧПЭ занимается разработкой гетероэпитаксиальных структур, приборов на их основе и технологий производства. Некоторые сотрудники Института являются лауреатами «Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники» за разработку интегральных схем на арсениде галлия.